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長電科技:FBP封測線實現(xiàn)技術跨越
多年來,封裝業(yè)一直占據(jù)著中國集成電路產(chǎn)業(yè)的半壁江山。近年來,中國集成電路封裝技術正在從中低端向高端邁進。
如果要問什么最能體現(xiàn)中國IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與神韻,那么,非封裝業(yè)莫屬。多年來,封裝業(yè)一直占據(jù)著中國集成電路產(chǎn)業(yè)的半壁江山。近年來,中國集成電路封裝技術正在從中低端向高端邁進。2007年,作為我國最重要的封裝廠商之一的江蘇長電科技股份有限公司,根據(jù)國家發(fā)改委發(fā)展“電子專用設備儀器、新型電子元器件及材料等核心基礎產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)化專項”的精神,組織申報了“年產(chǎn)5億塊新型集成電路(FBP)封測生產(chǎn)線”項目,當年就被列入國家發(fā)改委該專項計劃。
突破先進封裝技術瓶頸
我們經(jīng)常聽說某某芯片采用某某封裝形式,那么封裝到底是一種什么技術?封裝技術就是將內(nèi)存芯片包裹起來,以避免芯片與外界接觸,防止外界對芯片損害的一種工藝技術??諝庵械碾s質(zhì)和不良氣體,乃至水蒸氣都會腐蝕芯片上的精密電路,進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在制造工序和工藝方面差異很大,封裝后對內(nèi)存芯片自身性能的發(fā)揮也起到至關重要的作用。
QFN(無引線四方扁平封裝)是由Amkor公司發(fā)明的一種先進的半導體封裝技術,最早被德州儀器(TI)、IDT公司和日立(Hitach)公司應用于邏輯門和八進制位寬邏輯器件,后逐步轉(zhuǎn)入BiCMOS(雙極互補金屬氧化物半導體)和CMOS(互補金屬氧化物半導體)進行全面應用,從此被國際半導體封測業(yè)界所關注,至2005年全球約有數(shù)十家半導體生產(chǎn)企業(yè)開始采用此技術,市場需求成幾何倍數(shù)增長。而擁有QFN專利技術的美國Amkor公司每年收取的技術使用費總計高達3000萬美元。
但由于發(fā)達國家長久以來一直對我國半導體產(chǎn)業(yè)進行技術封鎖,因此像QFN這種半導體先進封裝技術的核心工藝、關鍵技術是國內(nèi)絕大多數(shù)企業(yè)所無法觸及的,再加上還有專利的許可問題等等,所以國內(nèi)半導體企業(yè)想要從事QFN封裝是有很大難度的。
面對這種嚴峻的發(fā)展形勢,長電科技痛下決心一定要在半導體先進封裝技術研發(fā)上有所突破,形成自主知識產(chǎn)權,以避開國外的專利保護。為此,公司的工程技術人員在針對QFN封裝技術進行了深入研究之后創(chuàng)造性地自主研發(fā)了FBP(四面無引腳凸點式封裝技術),這是我國半導體封裝行業(yè)第一個擁有自主知識產(chǎn)權的半導體封裝技術。為此,長電科技申請專利29項(其中發(fā)明專利19項、實用新型專利10項、境外PCT專利4項),一舉打破了國外技術的壟斷。
實現(xiàn)“中國創(chuàng)造”的跨越
2006年初,公司挑選了一批工程技術骨干專門成立了“FBP封裝技術研發(fā)部”,在對FBP封裝技術進行了反復多次的小試、中試驗證后,摸索出一整套全新的產(chǎn)品工藝,同時結合客戶對FBP樣品的試用評估情況,認為啟動FBP封裝項目的技術條件已經(jīng)成熟。2006年第四季度,公司對國內(nèi)外行業(yè)發(fā)展動態(tài)進行了充分調(diào)研,在此基礎上科學地預測市場容量、技術發(fā)展趨勢,重點進行了可行性研究報告的編制工作,從而決定了項目的投資規(guī)模、產(chǎn)品品種、人力資源、原材料供應、效益等產(chǎn)業(yè)化諸要素。2007年3月,公司正式開始組織實施“組建年產(chǎn)5億塊新型集成電路(FBP)封測生產(chǎn)線”項目,項目負責人由公司總經(jīng)理親自掛帥,投資12867萬元。
同年10月該項目被國家發(fā)改委列入“電子專用設備儀器、新型電子元器件及材料核心基礎產(chǎn)業(yè)化”專項。
項目自開工以后進展十分順利,至2007年10月份引進設備全部到位,2008年2月完成了試生產(chǎn)線的調(diào)整工作,形成了可年產(chǎn)FBP系列產(chǎn)品5億只的能力,比原計劃提前了3個月正式投產(chǎn)。截至項目驗收(2009年5月),項目實際完成投資11115.91萬元,形成了可年產(chǎn)5億塊新型集成電路(FBP)的生產(chǎn)能力,累計銷售FBP系列產(chǎn)品8.3億只,實現(xiàn)銷售收入1.5億元,利稅3500萬元,較好地完成了項目的各項計劃指標。同時項目新增工作崗位50多個,為社會解決了100多人的就業(yè)問題。
該項目的竣工驗收,標志著中國已在半導體封裝技術領域取得了較大的突破,一舉打破了國外先進封裝的技術封鎖和知識產(chǎn)權壟斷,對提升中國半導體封裝測試行業(yè)的國際地位,提升本土封裝企業(yè)發(fā)展先進封裝技術的信心,實現(xiàn)“中國制造”向“中國創(chuàng)造”的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移具有重要意義,為我國在國際封測高端市場爭得了一席之地,使我國封裝技術領域初步擺脫了被動跟從、沒有自主知識產(chǎn)權的窘境。
創(chuàng)新創(chuàng)出甜頭
之所以取得上述成績,與長電科技的創(chuàng)新意識不無關系。“創(chuàng)新已深深融化在我的血液中!中國的希望在于一代企業(yè)家創(chuàng)新意識的覺醒!”這是長電科技董事長王新潮反復強調(diào)的一個觀點。正是在這種企業(yè)一把手超前的創(chuàng)新意識的影響和推動下,在經(jīng)歷了一開始被市場壓力逼迫的朦朧創(chuàng)新意識到自發(fā)創(chuàng)新再到理性自覺創(chuàng)新三個階段后,“創(chuàng)新”已在長電科技開花結果,成為全體員工的自覺行動。
長電科技的創(chuàng)新可以說是被市場競爭“逼出來”的。2003年長電科技成功上市,董事長王新潮清醒地告誡大家,上市鐘聲的敲響意味著第一輪粗放型低水平增長模式的“終結”。而情況確實如他所料,隨著國內(nèi)同行的崛起,“價格戰(zhàn)”打響了,而規(guī)模越大損失越大。經(jīng)歷一輪又一輪慘烈的價格戰(zhàn)的“煎熬”和“血”的教訓后,他果斷決策,確立“以高科技產(chǎn)業(yè)為主導、以自主創(chuàng)新為基礎”的發(fā)展思路,調(diào)整產(chǎn)品結構,重點培育自主創(chuàng)新的產(chǎn)品。通過幾年的不懈努力,2003年開始長電科技以微型片式化集成電路、分立器件再次稱雄國內(nèi)同行,而自主發(fā)明的集成電路FBP封裝更是震驚國內(nèi)外同行。12英寸IC芯片級凸塊封裝填補了國內(nèi)空白,在引進新加坡專利技術基礎上二次開發(fā)再創(chuàng)新申報了多項國外發(fā)明專利,集成電路SiP(系統(tǒng)級)、TSV(硅穿孔)等封測技術實現(xiàn)了跨越式提升。
然而,技術創(chuàng)新也并非一帆風順,創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化,說起來容易做起來難。特別是基層員工往往看不到長遠的前景,就會出來說“風涼”話,而技術太超前了市場沒有形成氣候會考驗人的耐心,技術細節(jié)難以突破會考驗人的耐心,資金只有投入沒有產(chǎn)出也會考驗人的耐心。只有當天時、地利、人和都具備產(chǎn)業(yè)化的條件,企業(yè)才能抓住機遇。長電科技憑借IC凸塊專利技術,成為國內(nèi)第一家、國際第四家掌握該核心技術的企業(yè)。國際上剛剛開始流行,國內(nèi)市場還在培育,如果一下子規(guī)模搞得很大,過早切入市場,短期沒有達標達產(chǎn),壓力就會很大。過去公司成功的經(jīng)驗就是:一開始投石問路,一旦市場啟動一舉投資形成規(guī)模占領市場,長電SOT(小外形晶體管)/SOD(小外形二極管)片式元器件也是這種的運作模式。2002年長電科技先建小線作技術、市場、生產(chǎn)等準備,2003年抓住了沿海鬧民工荒、整機廠紛紛采用貼片自動化生產(chǎn)緩解手工作坊招工難的機遇,長電科技的片式器件很快供不應求。
實現(xiàn)年銷售額100億元,2012年進入世界半導體封測前五位是長電科技的發(fā)展目標。為實現(xiàn)這一目標,“掌握不可復制的核心技術,在WL-CSP(晶圓級芯片尺寸封裝)、SiP、TSV三大集成電路主流封裝技術中,長電科技都要擁有一定的自主知識產(chǎn)權。在此基礎上我們會加快產(chǎn)業(yè)化、市場化步伐,及時推出引導市場的新技術、新產(chǎn)品。”江蘇長電科技股份有限公司董事沈陽對《中國電子報》記者說。
技術研發(fā)、創(chuàng)新投入需要不斷加大,長電科技的做法是:一方面引進技術帶頭人,培養(yǎng)研發(fā)團隊,保持與國際前沿技術同步;另一方面,面向全球?qū)ふ液献?,再進行二次開發(fā),學會“站在巨人的肩膀上”實現(xiàn)技術跨越。在這次國際金融危機中,長電科技就成功收購了國外一家研發(fā)機構,一次性近80個國際發(fā)明專利歸屬長電后再進行開發(fā),年底之前一個具有“革命性”的消費類IT產(chǎn)品將在長電科技“誕生”。讓我們拭目以待,同時祝福一直堅守封裝產(chǎn)業(yè)的長電科技在技術創(chuàng)新的道路上一路走好。